一种新型薄膜衬底LED器件及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410436426.1
IPC分类号：H01L33/02;H01L33/20;H01L33/00
申请日期：
2014-08-29
申请人：
佛山市国星光电股份有限公司

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专利名称	一种新型薄膜衬底LED器件及其制造方法
申请号	CN201410436426.1	申请日期	2014-08-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-03-02	公开/公告号	CN105374911A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;2;;;H;0;1;L;3;3;/;2;0;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	佛山市国星光电股份有限公司	申请人地址	广东省佛山市禅城区华宝南路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	佛山市国星光电股份有限公司	当前权利人	佛山市国星光电股份有限公司
发明人	李宗涛;李宏浩;吴灿标;丁鑫锐
代理机构	广州骏思知识产权代理有限公司	代理人	吴静芝

摘要

本发明涉及一种新型薄膜衬底LED器件的制造方法，包括以下步骤：步骤1：制备厚度在0.4‑1mm之间的至少具有一面线路的基板；步骤2：将至少一个LED芯片安装在基板线路上；步骤3：将基板进行减薄；步骤4：利用金属化工艺在减薄的基板底面制备出对应的电极；步骤5：对该LED芯片进行封装；步骤6：对基板进行切割，分离出单个LED器件。本发明还提供了一种新型薄膜衬底LED器件，包括基板、LED芯片和封装胶体；所述基板上设有两个电极通孔，所述两电极通孔上分别设有相互绝缘的第一导电层；所述两电极通孔下方分别设有相互绝缘的第二导电层；所述LED芯片的正负电极分别安装在两相邻的第一导电层上；所述封装胶体包裹在LED芯片的四周。

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