加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

应用于多级放大电路的单米勒电容频率补偿方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510173716.6
  • IPC分类号:H03F1/42;H03F3/68
  • 申请日期:
    2015-04-13
  • 申请人:
    无锡新硅微电子有限公司
著录项信息
专利名称应用于多级放大电路的单米勒电容频率补偿方法
申请号CN201510173716.6申请日期2015-04-13
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2015-06-24公开/公告号CN104734646A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H03F1/42IPC分类号H;0;3;F;1;/;4;2;;;H;0;3;F;3;/;6;8查看分类表>
申请人无锡新硅微电子有限公司申请人地址
江苏省南京市江宁区秣陵街道正方中路166号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人南京国博电子股份有限公司当前权利人南京国博电子股份有限公司
发明人徐义强;施家鹏;葛玉洋
代理机构无锡华源专利商标事务所(普通合伙)代理人聂启新
摘要
本发明公开了一种应用于多级放大电路的单米勒电容频率补偿方法,在多级放大环路上的第一级和最后一级之间加入米勒电容,将所述米勒电容的一端连接最后一级放大器的输出端,另一端通过一个共栅级放大器连接到第一级放大器的输出端。本发明可以实现多级运放的频率补偿,结构简单,且环路带宽很高,应用在三级或以上的运放电路中。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供