气体传感器及其形成方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201210331094.1
IPC分类号：G01N27/00;B81C1/00
申请日期：
2012-09-07
申请人：
清华大学

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著录项信息

专利名称	气体传感器及其形成方法
申请号	CN201210331094.1	申请日期	2012-09-07
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2013-01-09	公开/公告号	CN102866178A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R）	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;0;0;;;B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人	清华大学	申请人地址	北京市海淀区-82信箱变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学	当前权利人	清华大学
发明人	伍晓明;肖柯;吕宏鸣;钱鹤;吴华强
代理机构	北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	张大威

摘要

本发明公开了一种气体传感器及其形成方法，该气体传感器包括：衬底；形成在衬底之上的介质层；形成在介质层之上的第一压焊块和第二压焊块；形成在介质层之上的碳基薄膜，其中，碳基薄膜位于第一压焊块与第二压焊块之间，且覆盖第一压焊块与第二压焊块的一部分；以及形成在碳基薄膜之上的第一金属接触和第二金属接触，其中第一金属接触与第一压焊块的至少一部分相连，第二金属接触与第二压焊块的至少一部分相连。本发明的气敏材料采用石墨烯，气敏性质更优；利用气压在形成的碳基薄膜平整、致密、质量好；形成碳基薄膜之后的工序少，对碳基薄膜的沾污或损害少；最终形成两面夹结构的电极，强度更大，接触电阻更小。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
1	CN102203593A	2011-09-28	2009-09-28	含碳纳米管的化学传感器、其制备方法和其用途无效专利	法国原子能及替代能源委员会
2	CN101013098B	2007-08-08	2007-02-02	一种具有NH3气体敏感效应的碳/硅异质结材料失效专利	中国石油大学(华东)
3	CN102307024A	2012-01-04	2011-06-21	一种基于石墨烯的流体发电装置或波动传感装置有效专利	南京航空航天大学
4	JP2003279523A	暂无	2002-03-26	Membrane gas sensor公开	Fuji Electric Co Ltd;富士電機株式会社
5	CN101311710A	2008-11-26	2007-05-24	一氧化碳气体传感器的制备方法及一氧化碳气体传感器失效专利	福华电子股份有限公司
6	CN102654474A	2012-09-05	2011-03-02	一种石墨烯掺杂氧化锌的纳米薄膜的制作方法无效专利	中国科学院微电子研究所

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
1	CN105301061B	2015-09-23	2015-09-23	一种自组装式网格状α-MoO3纳米带气敏传感器有效专利	西南交通大学
2	CN104977347A	2014-04-04	2014-04-04	基于石墨烯的化学或生物传感器及其制作方法无效专利	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
3	CN105301061A	2015-09-23	2015-09-23	一种自组装式网格状α-MoO3纳米带气敏传感器有效专利	西南交通大学

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