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镶嵌式金属绝缘体金属电容结构与自对准氧化工艺

发明专利有效专利

申请号：
CN200510088672.3
IPC分类号：H01L21/329;H01L21/82
申请日期：
2005-08-01
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	镶嵌式金属绝缘体金属电容结构与自对准氧化工艺
申请号	CN200510088672.3	申请日期	2005-08-01
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2006-07-12	公开/公告号	CN1801466
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/329 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/328 制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺〔5〕 H01L21/329 包括1个或两个电极的器件，例如二极管〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;2;9;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	台湾省新竹市新竹科学工业园区新竹市力行六路八号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	周友华;王琳松;林志隆;施宗仁;王英郎
代理机构	北京连和连知识产权代理有限公司	代理人	高翔

摘要

一种自对准的金属绝缘体金属电容结构及其形成方法，此方法包含在介电绝缘层中形成金属填充镶嵌，且其具有曝露表面；形成金属前驱物层在此曝露表面上；对此金属前驱物层进行一工艺，此工艺选自氧化工艺与氮化工艺所组成的族群，以形成电容介电部分；以及形成导电的电极层在此电容介电部分上。

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