一种低噪声放大器的驻波比调试方法及系统

发明专利无效专利

申请号：
CN200810068338.5
IPC分类号：H03F1/56
申请日期：
2008-07-07
申请人：
摩比天线技术（深圳）有限公司

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专利名称	一种低噪声放大器的驻波比调试方法及系统
申请号	CN200810068338.5	申请日期	2008-07-07
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-12-31	公开/公告号	CN101335502
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03F1/56 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03F 放大器（测量、试验入G01R；光参量放大器入G02F；具有二次发射管的电路装置入H01J 43/30；微波激射器，激光器入H01S；电动放大器入H02K；放大的控制入H03G；与放大器特性无关的耦合装置，分压器入H03H；只能处理脉冲的放大器入H03K；传输线路中的中继器电路入H04B 3/36、H04B 3/58；电话通信中音频放大器的应用入H04M 1/60，H04M 3/40） H03F1/00 只用电子管，只用半导体器件或只用未特别指明的器件作为放大元件的放大器的零部件 H03F1/56 其他类不包含的输入或输出阻抗的改进〔3〕	IPC分类号	H;0;3;F;1;/;5;6查看分类表>
申请人	摩比天线技术（深圳）有限公司	申请人地址	广东省深圳市南山区高新区北区朗山一路摩比大楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	摩比天线技术（深圳）有限公司	当前权利人	摩比天线技术（深圳）有限公司
发明人	雷小勇;姚兵兵;詹绍泰
代理机构	深圳中一专利商标事务所	代理人	张全文

摘要

本发明适用于电子信息领域，提供了一种低噪声放大器的驻波比调试方法及系统，其中，方法包括以下步骤：接收低噪声放大器的外围电路各元器件的参考值；根据所述接收到的参考值计算驻波比并显示；接收射频信号接地电容的调节值；根据调节后的射频信号接地电容的电容值计算驻波比并显示。本发明实施例通过调节射频信号接地电容的电容值，以克服最佳驻波比偏离最佳设计范围值，由于射频信号接地电容基本不参与噪声系数的匹配，因此适当的调节射频信号接地电容的电容值对噪声系数的改变影响很小，可以忽略不计，因此在调节射频信号接地电容的电容值的同时，不需要考虑会对噪声系统造成的影响，从而提高了生产效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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