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相移掩膜的制造方法、相移掩膜及相移掩膜的制造装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201480005329.5
IPC分类号：G03F1/28;G03F1/29
申请日期：
2014-04-17
申请人：
爱发科成膜株式会社

基础信息

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	相移掩膜的制造方法、相移掩膜及相移掩膜的制造装置
申请号	CN201480005329.5	申请日期	2014-04-17
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-09-16	公开/公告号	CN104919368A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F1/28 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F1/16 （转入G03F 1/00-G03F 1/86） G03F1/26 相移掩膜〔PSM〕；PSM空白；其制备〔2012.01〕 G03F1/28 在相同的PSM上具有三个或更多不同的相位；其制备〔2012.01〕	IPC分类号	G;0;3;F;1;/;2;8;;;G;0;3;F;1;/;2;9查看分类表>
申请人	爱发科成膜株式会社	申请人地址	日本埼玉县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	爱发科成膜株式会社	当前权利人	爱发科成膜株式会社
发明人	望月圣;中村大介;影山景弘
代理机构	北京德琦知识产权代理有限公司	代理人	张路;王琦

摘要

使构成相移层的多级区域的最上层与其下的层相比，含氧量更多。据此，成为曝光光入射侧的最上层的反射率降低。因此，能够减少由相移掩膜反射的反射光，防止由反射光引起的图案形成精度的降低，从而能够实现微细且高精度的图案形成。

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