首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

存储元件以及半导体装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200710102489.3
  • IPC分类号:H01L51/00H01L45/00H01L27/28
  • 申请日期:
    2007-04-27
  • 申请人:
    株式会社半导体能源研究所
著录项信息
专利名称存储元件以及半导体装置
申请号CN200710102489.3申请日期2007-04-27
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2007-10-31公开/公告号CN101064361
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L51/00IPC分类号H01L51/00;H01L45/00;H01L27/28查看分类表>
申请人株式会社半导体能源研究所申请人地址
日本神*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社半导体能源研究所当前权利人株式会社半导体能源研究所
发明人山崎舜平
代理机构上海专利商标事务所有限公司代理人李玲
摘要
本发明的目的在于提供一种减少了初期故障的存储元件以及一种具有该存储元件的半导体装置。本发明的目的还在于提供一种非易失性存储元件以及一种具有存储元件的半导体装置。该存储元件在制造时以外也可以补写数据,并且可以防止因补写导致的伪造等。本发明的存储元件包括:第一导电层;第二导电层;夹持在第一导电层和第二导电层之间且包含呈现液晶性的化合物的层;以及夹持在第一导电层和第二导电层之间并接触于包含呈现液晶性的化合物的层且包含有机化合物的层,其中包含呈现液晶性的化合物的层与第一导电层接触地形成,并且为至少从第一相相转变到第二相的层。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供