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用于在原子层沉积(ALD)衬底处理室中调整膜性质的基座

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202080013308.3
  • IPC分类号:C23C16/458;C23C16/455;C23C16/505
  • 申请日期:
    2020-01-30
  • 申请人:
    朗姆研究公司
著录项信息
专利名称用于在原子层沉积(ALD)衬底处理室中调整膜性质的基座
申请号CN202080013308.3申请日期2020-01-30
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-09-21公开/公告号CN113423866A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C16/458IPC分类号C;2;3;C;1;6;/;4;5;8;;;C;2;3;C;1;6;/;4;5;5;;;C;2;3;C;1;6;/;5;0;5查看分类表>
申请人朗姆研究公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人朗姆研究公司当前权利人朗姆研究公司
发明人阿德里安·拉沃伊;迈克尔·菲利普·罗伯茨;克洛伊·巴尔达赛罗尼;理查德·菲利普斯;拉梅什·钱德拉塞卡拉
代理机构上海胜康律师事务所代理人樊英如;张静
摘要
一种用于利用原子层沉积于衬底上沉积膜的系统包含:基座,其被设置于处理室中,以于所述衬底上沉积所述膜时将所述衬底支撑于所述基座的顶表面上。位于所述基座中的第一环形凹部从所述基座的所述顶表面往下延伸且从所述基座的外缘朝向所述衬底的外缘而径向往内延伸。所述第一环形凹部具有大于所述衬底的直径的内径。由介电材料所制成的环形环在所述第一环形凹部中环绕所述衬底而设置。在所述基座中的第二环形凹部位于所述环形环的下方。所述第二环形凹部具有高度且从所述基座的外缘朝向所述衬底的外缘而径向往内延伸。

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