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一种漏电场无损检测方法与装置

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110167841.8
  • IPC分类号:G01N27/61
  • 申请日期:
    2011-06-21
  • 申请人:
    华中科技大学
著录项信息
专利名称一种漏电场无损检测方法与装置
申请号CN201110167841.8申请日期2011-06-21
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2012-01-25公开/公告号CN102331451A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01N27/61IPC分类号G;0;1;N;2;7;/;6;1查看分类表>
申请人华中科技大学申请人地址
湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华中科技大学当前权利人华中科技大学
发明人康宜华;孙燕华;谈存真
代理机构华中科技大学专利中心代理人曹葆青
摘要
本发明公开了一种漏电场无损检测方法与装置:该方法通过下述技术方案予以实现,向待检测导电金属体通入直流电流,激励金属体在缺陷处产生漏电场,将电场传感器制成地探头布置于金属体附近空间中,与金属体表面保持一定距离,非接触式探测金属体外电场,探头输出电压信号放大、滤波后通过采集进入计算机提取信号特征并用波形图形式显示,获得被检测金属体缺陷信息。实现本方法的装置结构简单,操作方便,使用安全,适用于自动化探伤。本方法用于导电金属体的缺陷探测,不仅能探测金属体表面缺陷,也能探测其内部缺陷,尤其适用于有色金属(如铝、铜、钛合金),奥氏体不锈钢以及温度高于居里点的钢铁材料。

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