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静电卡盘及等离子体装置

发明专利无效专利

申请号：
CN200810223918.7
IPC分类号：H01L21/683;H01L21/00
申请日期：
2008-10-09
申请人：
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	静电卡盘及等离子体装置
申请号	CN200810223918.7	申请日期	2008-10-09
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2010-06-02	公开/公告号	CN101719480A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/683 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/67 专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置〔8〕 H01L21/683 用于支承或夹紧的（用于定位、定向或对准的入H01L 21/68）〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;8;3;;;H;0;1;L;2;1;/;0;0查看分类表>
申请人	北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司	申请人地址	北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5座2楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司	当前权利人	北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
发明人	张宝辉
代理机构	北京凯特来知识产权代理有限公司	代理人	赵镇勇

摘要

本发明公开了一种静电卡盘及等离子体装置，静电卡盘设有多路背吹气体通路，其中一路与升针孔贯穿或连接。多路背吹气体通路可以由一路供气管路供气，也可以由多路供气管路供气。背吹气体通路相对于基片和静电卡盘之间的间隙是很大的，在基片加工工艺结束后，通过背吹气体通路进行抽气时，可以很快的将升针孔中的气体抽净，缩短了基片加工工艺的时间，提高了生产效率。

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