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检测X射线光电子能谱仪稳定性的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010160621.1
  • IPC分类号:G01N23/2273
  • 申请日期:
    2020-03-10
  • 申请人:
    长鑫存储技术有限公司
著录项信息
专利名称检测X射线光电子能谱仪稳定性的方法
申请号CN202010160621.1申请日期2020-03-10
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-09-10公开/公告号CN113376196A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01N23/2273IPC分类号G;0;1;N;2;3;/;2;2;7;3查看分类表>
申请人长鑫存储技术有限公司申请人地址
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人长鑫存储技术有限公司当前权利人长鑫存储技术有限公司
发明人陆朋朋
代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司代理人虞凌霄
摘要
本发明涉及一种检测X射线光电子能谱仪稳定性的方法,包括获取表面形成有氮氧化硅薄膜的校准片对应的氧氮含量的比率的第一上限值和第一下限值,氧氮含量的比率是指校准片对应的氧含量和氮含量之和与氮氧化硅薄膜厚度的比值;使用所述光电子能谱仪对校准片进行测量,获取氧氮含量的比率的第一测试值;当第一测试值在第一上限值和第一下限值之间时,使用X射线光电子能谱仪获取的制程监控片的氮含量的值在正常波动范围内,认为该光电子能谱仪能准确测试出制程监控片的氮含量,进而判定光电子能谱仪处于稳定状态,能够排除校准片的氮氧化硅薄膜被进一步氧化带来的干扰,避免了因X射线光电子能谱仪测试异常引起的生产失误,降低了生产成本。

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