半导体器件及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110903992.9
IPC分类号：H01L23/532;H01L23/48;H01L21/768;H01L27/146
申请日期：
2021-08-06
申请人：
武汉新芯集成电路制造有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体器件及其制造方法
申请号	CN202110903992.9	申请日期	2021-08-06
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-09	公开/公告号	CN113629036A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/532 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/522 包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的〔5〕 H01L23/532 按材料特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;3;2;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;7;/;1;4;6查看分类表>
申请人	武汉新芯集成电路制造有限公司	申请人地址	湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉新芯集成电路制造有限公司	当前权利人	武汉新芯集成电路制造有限公司
发明人	姚琴;占迪;刘天建;胡胜
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	田婷

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：第一晶圆，包括衬底和形成于所述衬底正面的器件层，所述器件层中形成有金属互连结构，所述衬底的背面形成有通孔，所述通孔贯穿所述衬底，所述衬底的背面和正面为相对的面；第一氧化物层、第一氮化物层和第二氧化物层，依次形成于所述通孔的内表面上，且所述通孔的底面形成有开口，所述开口暴露出所述金属互连结构；以及，金属层，填充于所述通孔和所述开口中，所述金属层与所述金属互连结构电连接。本发明的技术方案使得防止金属扩散以及抗电压击穿的能力得到提高，进而使得电学稳定性得到提高，且降低了生产成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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