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半导体器件、制造量子阱结构的方法和包括这种量子阱结构的半导体器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200480018904.1
  • IPC分类号:H01L29/778;H01L29/15
  • 申请日期:
    2004-06-29
  • 申请人:
    皇家飞利浦电子股份有限公司
著录项信息
专利名称半导体器件、制造量子阱结构的方法和包括这种量子阱结构的半导体器件
申请号CN200480018904.1申请日期2004-06-29
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2006-08-09公开/公告号CN1816914
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/778
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;1;5查看分类表>
申请人皇家飞利浦电子股份有限公司申请人地址
荷兰艾恩德霍芬 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人NXP股份有限公司当前权利人NXP股份有限公司
发明人Y·波诺马雷
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人王波波
摘要
公开了用于在具有量子阱结构(4)的多层结构(3)的衬底(2)上获得的半导体器件(1)和方法。量子阱结构(4)包括由绝缘层(6,6’)夹在中间的半导体层(5),其中绝缘层(6,6’)的材料优选具有高介电常数。在FET中,量子阱(4,9)用作沟道,允许较高的驱动电流和较低的截止电流。降低了短沟道效应。甚至对于亚35nm栅极长度,多沟道FET也适合于操作。在该方法中,优选通过MBE,通过交替地在相互的顶部上外延生长高介电常数材料和半导体材料来形成量子阱。

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