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一种高能量密度的锂离子电池

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410467740.6
  • IPC分类号:H01M4/134;H01M4/133;H01M4/131;H01M4/62
  • 申请日期:
    2014-09-15
  • 申请人:
    万向A一二三系统有限公司;万向电动汽车有限公司;万向集团公司
著录项信息
专利名称一种高能量密度的锂离子电池
申请号CN201410467740.6申请日期2014-09-15
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2015-07-29公开/公告号CN104810506A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01M4/134IPC分类号H;0;1;M;4;/;1;3;4;;;H;0;1;M;4;/;1;3;3;;;H;0;1;M;4;/;1;3;1;;;H;0;1;M;4;/;6;2查看分类表>
申请人万向A一二三系统有限公司;万向电动汽车有限公司;万向集团公司申请人地址
浙江省杭州市萧山区经济技术开发区建设二路855号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人万向一二三股份公司当前权利人万向一二三股份公司
发明人严红;石先兴;王慧敏
代理机构杭州杭诚专利事务所有限公司代理人尉伟敏
摘要
本发明涉及一种高能量密度的锂离子电池,包括正极片、负极片、隔膜、电解液和外包装,所述的正极片、负极片分别由正、负集流体和涂覆在正、负极集流体上的正、负极材料组成,正极材料包括正极活性物质、正极导电剂与正极粘结剂,负极材料包括负极活性物质、负极导电剂、增稠剂与负极粘结剂,所述正极活性物质采用镍钴铝三元正极材料或镍钴锰三元正极材料,负极活性物质采用碳源包覆硅源的硅碳材料。本发明负极采用纳米碳管包覆SiO形式制备硅碳负极,硅源以SiO形式存在,同时纳米碳管包覆在SiO表面可以有效抑制硅金属的体积膨胀,从而从根本上解决硅碳负极体积效应导致的循环性能差的问题。

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