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压阻式自由场压力传感器

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200510037981.8
  • IPC分类号:G01L1/18
  • 申请日期:
    2005-03-04
  • 申请人:
    昆山双桥传感器测控技术有限公司
著录项信息
专利名称压阻式自由场压力传感器
申请号CN200510037981.8申请日期2005-03-04
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2006-09-06公开/公告号CN1828246
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01L1/18IPC分类号G;0;1;L;1;/;1;8查看分类表>
申请人昆山双桥传感器测控技术有限公司申请人地址
江苏省昆山市周庄镇中科院高新技术产业园创业中心 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人昆山双桥传感器测控技术有限公司当前权利人昆山双桥传感器测控技术有限公司
发明人王文襄;王善慈;谢维钦;许广军;李济顺;王冰
代理机构昆山四方专利事务所代理人盛建德
摘要
一种压阻式自由场压力传感器由敏感组件、调理电路、电缆以及传感器外壳组成,传感器外壳为流线体结构,敏感组件为硅压阻式组件,敏感组件之受压面与传感器外表面齐平安装而背压面通过安装于传感器腔体内的调理电路外接到电缆,敏感组件为具有惠斯通电桥硅敏感元件之正面连通传感器腔体,调理电路由温度补偿电路和高频宽带放大电路组成,电缆具有防护套及在防护套和电缆间装有绝热填充料,传感器外壳由呈锐角圆锥型的流线基座和旋固于流线基座尾部的管帽组成,本发明将成熟的硅压阻式压力传感器引入爆炸力学研究领域,制作了压阻式自由场压力传感器,具有一致性好、廉价、低频特性好、信号处理简单、方便等特点。

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