在中空硫球表面包覆聚吡咯的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810693326.5
IPC分类号：H01M4/36;H01M4/38;H01M4/60;H01M10/0525
申请日期：
2018-06-29
申请人：
北京理工大学

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著录项信息

专利名称	在中空硫球表面包覆聚吡咯的方法
申请号	CN201810693326.5	申请日期	2018-06-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-11-23	公开/公告号	CN108878838A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01M4/36 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01M 用于直接转变化学能为电能的方法或装置，例如电池组〔2〕（一般电化学的方法或装置入C25；用于转变光或热为电能的半导体或其他固态器件入H01L，例如H01L 31/00，H01L 35/00，H01L 37/00）〔2〕 H01M4/00 电极〔2〕 H01M4/02 由活性材料组成或包括活性材料的电极〔2〕 H01M4/36 作为活性物质、活性体、活性液体的材料的选择〔2〕	IPC分类号	H;0;1;M;4;/;3;6;;;H;0;1;M;4;/;3;8;;;H;0;1;M;4;/;6;0;;;H;0;1;M;1;0;/;0;5;2;5查看分类表>
申请人	北京理工大学	申请人地址	北京市海淀区中关村南大街5号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京理工大学	当前权利人	北京理工大学
发明人	白羽;孙克宁;罗敏;马秉卿;杨微微;屈美秀
代理机构	北京理工正阳知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	鲍文娟

摘要

本发明涉及一种在中空硫球表面包覆聚吡咯的方法，属于锂硫电池正极材料领域。本发明以包覆在中空硫球表面的MnO2作为氧化剂引发吡咯在中空硫球和溶液固液界面原位聚合。在该反应中，先合成中空硫球，然后通过简单的高锰酸钾溶液氧化在硫球表面包覆MnO2，最后利用MnO2在稀盐酸中的强氧化性，在中空硫球和溶液固液界面原位均匀包覆聚吡咯。本发明相比于传统的直接将氧化剂加到液相中引发吡咯聚合的包覆方法，能使吡咯有效均匀地包覆在中空硫球表面。

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