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COA型阵列基板及量测色阻层上过孔尺寸的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810469942.2
IPC分类号：G02F1/1368;G02F1/1362;G01B21/00;G01B21/02;G01B21/10
申请日期：
2018-05-16
申请人：
深圳市华星光电技术有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	COA型阵列基板及量测色阻层上过孔尺寸的方法
申请号	CN201810469942.2	申请日期	2018-05-16
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2018-10-30	公开/公告号	CN108717246A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G02F1/1368 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G02 光学 G02F 用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器〔2，4〕 G02F1/00 控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学〔2，4〕 G02F1/01 对强度、相位、偏振或颜色的控制（G02F 1/29、G02F 1/35优先）〔2，7〕 G02F1/13 基于液晶的，例如单位液晶显示单元〔2〕 G02F1/133 构造上的设备；液晶单元的工作；电路装置（用于控制矩阵中液晶元件并且在结构上不与这些元件相连的装置或电路入G09G 3/36）〔3，7〕 G02F1/136 结构上与一半导体层或基片相结合的液晶单元，例如形成集成电路部分的液晶单元（G02F 1/135优先）〔5〕 G02F1/1362 有源矩阵寻址单元〔7〕 G02F1/1368 其中开关元件为三电极装置〔7〕	IPC分类号	G;0;2;F;1;/;1;3;6;8;;;G;0;2;F;1;/;1;3;6;2;;;G;0;1;B;2;1;/;0;0;;;G;0;1;B;2;1;/;0;2;;;G;0;1;B;2;1;/;1;0查看分类表>
申请人	深圳市华星光电技术有限公司	申请人地址	广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	TCL华星光电技术有限公司	当前权利人	TCL华星光电技术有限公司
发明人	安立扬
代理机构	深圳市德力知识产权代理事务所	代理人	林才桂

摘要

本发明提供一种COA型阵列基板及量测色阻层上过孔尺寸的方法。该COA型阵列基板通过将薄膜晶体管的漏极设计为包括对应色阻层的第一过孔的漏极本体以及由所述漏极本体的边缘向外突出形成的第一延伸部、第二延伸部及第三延伸部，能够提高色阻层上的第一过孔的尺寸的测量精度，进而提高COA型阵列基板的生产良率。

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