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制备用于生长氮化铝单晶的碳化钽坩埚的装置及制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201811085528.8
  • IPC分类号:B28B3/00;C30B23/00;C30B29/40
  • 申请日期:
    2018-09-18
  • 申请人:
    北京大学
著录项信息
专利名称制备用于生长氮化铝单晶的碳化钽坩埚的装置及制备方法
申请号CN201811085528.8申请日期2018-09-18
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2019-01-04公开/公告号CN109129833A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B28B3/00IPC分类号B;2;8;B;3;/;0;0;;;C;3;0;B;2;3;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;4;0查看分类表>
申请人北京大学申请人地址
北京市海淀区颐和园路5号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京大学当前权利人北京大学
发明人吴洁君;朱星宇;赵起悦;李孟达;韩彤;于彤军;张国义
代理机构北京万象新悦知识产权代理有限公司代理人黄凤茹
摘要
本发明公布了一种制备生长氮化铝单晶所用碳化钽坩埚及制备新方法,包括:高纯碳化钽粉、粘结剂、包套模具、液体压力介质、密闭高压容器、坩埚、车床及高温加热炉;将高纯碳化钽粉与粘结剂混合均匀后烘干,装入包套模具材料中;再装入倒满液体压力介质的密闭高压容器中进行高压压制成碳化钽坩埚模型;放入坩埚内,再放在高温加热炉里进行高温烧结;利用车床对其进行车削加工,得到合适大小的碳化钽坩埚;再经过高温加热炉高温定型,得到生长氮化铝单晶所用的碳化钽坩埚。本发明能够延长碳化钽坩埚使用寿命,提升其生长氮化铝单晶的晶体质量,增加单晶可用面积;且方法简单,可实现低成本氮化铝单晶的制备。

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