一种基于叉指电极的高分子层内剪切取向测量方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710528346.2
IPC分类号：G01N27/22
申请日期：
2017-07-01
申请人：
华中科技大学

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著录项信息

专利名称	一种基于叉指电极的高分子层内剪切取向测量方法
申请号	CN201710528346.2	申请日期	2017-07-01
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2017-12-15	公开/公告号	CN107478690A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/22 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R） G01N27/02 通过测试阻抗 G01N27/22 通过测试电容量	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;2;2查看分类表>
申请人	华中科技大学	申请人地址	湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华中科技大学	当前权利人	华中科技大学
发明人	周华民;叶庆莹;张云;黄志高;张逸;李德群;王云明;徐斌
代理机构	华中科技大学专利中心	代理人	梁鹏;曹葆青

摘要

本发明属于高分子取向测量的技术领域，具体涉及一种基于叉指电极的高分子层内剪切取向测量方法，包括如下步骤：S1将一对叉指电极探头紧贴于待测材料表面；S2设置叉指电极的探测深度并测试待测材料在不同深度位置上两个方向的电容信号大小和S3分别构建介电常数计算参数方程组，求解得到待测材料每个厚度层两个方向的介电常数值和S4计算得到相对于待测材料坐标系的每个厚度层待测材料的取向大小和取向方向完成高分子层内的剪切取向测量。本发明的方法无需切片制样，避免了制样过程中人为因素对于对最终的取向测量结果的干扰，提高了测量结果的精确度，节省了测试的时间，降低了测试的成本，尤其适用于高分子层内剪切取向的测量。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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