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光掩模和曝光方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710085707.7
  • IPC分类号:G03F1/14;G03F1/00;G03F7/20
  • 申请日期:
    2007-03-06
  • 申请人:
    恩益禧电子股份有限公司
著录项信息
专利名称光掩模和曝光方法
申请号CN200710085707.7申请日期2007-03-06
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2007-09-12公开/公告号CN101034255
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G03F1/14IPC分类号G;0;3;F;1;/;1;4;;;G;0;3;F;1;/;0;0;;;G;0;3;F;7;/;2;0查看分类表>
申请人恩益禧电子股份有限公司申请人地址
日本神奈川 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人恩益禧电子股份有限公司当前权利人恩益禧电子股份有限公司
发明人松浦诚司
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司代理人孙志湧;陆锦华
摘要
一种光掩模,其用于利用偶极子式照明光对半导体晶片进行曝光,并且包括主开口、第一辅助开口、第二辅助开口、第三辅助开口和第四辅助开口。设置每个辅助开口以使得其中心点其偏离第一直线和第二直线,其中第一直线平行于第一方向并经过主开口的中心点,以及第二直线平行于第二方向并经过主开口的中心点。此处,第一方向是光掩模的面内方向中的方向,该方向平行于偶极子式照明光的有效光源分布的排列方向。此外,第二方向是光掩模的面内方向中的方向,其与排列方向垂直。

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