一种量测键合器件结构上非键合区域尺寸的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201410076085.1
IPC分类号：H01L21/66
申请日期：
2014-03-04
申请人：
武汉新芯集成电路制造有限公司

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著录项信息

专利名称	一种量测键合器件结构上非键合区域尺寸的方法
申请号	CN201410076085.1	申请日期	2014-03-04
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2014-06-25	公开/公告号	CN103887197A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/66 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/66 在制造或处理过程中的测试或测量〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分类表>
申请人	武汉新芯集成电路制造有限公司	申请人地址	湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉新芯集成电路制造有限公司	当前权利人	武汉新芯集成电路制造有限公司
发明人	胡思平;陈俊;朱继锋
代理机构	上海申新律师事务所	代理人	吴俊

摘要

本发明公开了一种量测键合器件结构上非键合区域尺寸的方法，通过采用可穿透待测键合器件结构的光线照射待测键合器件结构，以在沿光线入射方向上非键合区域对应的位置处产生牛顿环，然后利用光学测量显微镜量测牛顿环在与光线入射方向垂直的方向上的宽度，进而获得非键合区域在垂直于光线入射方向上的宽度；该方法采用牛顿环原理来实现键合器件结构上非键合区域尺寸的测量，可以获得精确的测量结果，且在测量过程中，对作为样品的待测键合器件结构不会造成任何损坏，从而节约了生产成本，且该方法可以应用于单片厚度为0-775μm的晶圆、芯片或者其他的硅衬底通过键合工艺所形成的键合器件结构中，并支持衬底掺杂，应用范围广，实用性强。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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