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各向异性导电膜及其制造方法、半导体装置及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310556923.0
  • IPC分类号:C09J7/02;C09J175/14;C09J9/02;H01L51/52;H01L51/56
  • 申请日期:
    2013-11-11
  • 申请人:
    第一毛织株式会社
著录项信息
专利名称各向异性导电膜及其制造方法、半导体装置及其制造方法
申请号CN201310556923.0申请日期2013-11-11
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2014-06-18公开/公告号CN103865415A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C09J7/02IPC分类号C;0;9;J;7;/;0;2;;;C;0;9;J;1;7;5;/;1;4;;;C;0;9;J;9;/;0;2;;;H;0;1;L;5;1;/;5;2;;;H;0;1;L;5;1;/;5;6查看分类表>
申请人第一毛织株式会社申请人地址
韩国京畿道 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人国都化学株式会社,三星SDI株式会社当前权利人国都化学株式会社,三星SDI株式会社
发明人崔贤民;朴永祐
代理机构北京德琦知识产权代理有限公司代理人康泉;王珍仙
摘要
本文公开了各向异性导电膜、其制备方法、包含它的半导体装置和制造所述半导体装置的方法。所述各向异性导电膜包括基膜和粘合剂层,所述基膜满足5,000kgf/cm2或更小的储能模量和在100℃至150℃下的50ppm/℃或更小的热膨胀系数中的至少一个条件,所述粘合剂层形成在所述基膜上并包含导电颗粒。

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