功率半导体器件元胞结构、其制备方法及功率半导体器件

发明专利有效专利

申请号：
CN201911337436.9
IPC分类号：H01L21/67
申请日期：
2019-12-23
申请人：
珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司

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专利名称	功率半导体器件元胞结构、其制备方法及功率半导体器件
申请号	CN201911337436.9	申请日期	2019-12-23
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-05-05	公开/公告号	CN111106043A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/67 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/67 专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人	珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司	申请人地址	广东省珠海市前山金鸡西路变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	珠海格力电器股份有限公司,珠海零边界集成电路有限公司	当前权利人	珠海格力电器股份有限公司,珠海零边界集成电路有限公司
发明人	曾丹;史波;肖婷;马颖江;敖利波
代理机构	北京聿宏知识产权代理有限公司	代理人	吴大建;张杰

摘要

本公开提供一种功率半导体器件及其制备方法。该功率半导体器件包括第一导电类型衬底、设置于所述衬底内的呈网格状分布的第一沟槽栅，以及位于由所述第一沟槽栅围合的每个网格单元格内的岛状第二沟槽栅、位于所述衬底内并位于所述第一沟槽栅和所述第二沟槽栅之间的第二导电类型阱区、位于所述阱区内的第一导电类型第一源区、第一导电类型第二源区和第二导电类型第三源区，以及位于所述衬底上方并同时与所述第一源区、所述第二源区、所述第三源区和所述第二沟槽栅形成电连接的发射极金属层。在不改变器件内部的电场线分布的情况下，增大有效沟槽栅之间的间距来降低电流密度，提高器件的抗短路能力，同时又能改善器件内部电场，提高器件耐压能力。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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