半导体器件及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410039983.X
IPC分类号：--
申请日期：
2005-11-22
申请人：
株式会社半导体能源研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体器件及其制造方法
申请号	CN201410039983.X	申请日期	2005-11-22
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2014-05-07	公开/公告号	CN103779359A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	株式会社半导体能源研究所	申请人地址	日本神奈川县*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社半导体能源研究所	当前权利人	株式会社半导体能源研究所
发明人	山本良明;田中幸一郎;矶部敦生;大柄根大辅;山崎舜平
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	柯广华;王忠忠

摘要

本发明的目的在于提供一种通过不同于专利文献1中公开的方法从衬底分离薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的电路或半导体器件，并将该薄膜晶体管和电路或半导体器件移位到具有柔性的衬底上的方法。根据本发明，在绝缘膜处形成了大开口或多个开口，在开口处形成了连接薄膜晶体管的导电膜，以及移除了剥离层，然后，将具有薄膜晶体管的层移位到提供有导电膜等的衬底上。根据本发明的薄膜晶体管具有通过激光照射结晶化的半导体膜，并且防止不必用激光照射的剥离层暴露在激光照射下。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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