发光二极管装置的制造方法及喷涂设备

发明专利无效专利

申请号：
CN200910007660.1
IPC分类号：H01L33/00;B05D5/00;B05D7/24
申请日期：
2009-02-20
申请人：
隆达电子股份有限公司

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专利名称	发光二极管装置的制造方法及喷涂设备
申请号	CN200910007660.1	申请日期	2009-02-20
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2009-07-29	公开/公告号	CN101494271
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;B;0;5;D;5;/;0;0;;;B;0;5;D;7;/;2;4查看分类表>
申请人	隆达电子股份有限公司	申请人地址	台湾省新竹变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	隆达电子股份有限公司	当前权利人	隆达电子股份有限公司
发明人	李育群;张亚衔;郭政达
代理机构	北京律诚同业知识产权代理有限公司	代理人	梁挥;张燕华

摘要

一种发光二极管装置的制造方法以及喷涂设备。该发光二极管装置的制造方法包括提供发光二极管以及至少一种荧光体溶液，经分散程序后将荧光体溶液涂布在发光二极管上。在固化程序后，使荧光体溶液固化成荧光层。之后，以封胶层包覆住发光二极管及荧光层。该制造方法可以提高发光二极管的发光效率。该喷涂设备可用在发光二极管表面喷涂荧光层，其组成包括搅拌槽、振动槽、第一连通管、缓冲槽、第二连通管、喷涂装置以及第三连通管，其中喷涂装置设置于发光二极管的一侧，以将荧光体溶液喷涂至发光二极管表面。该设备可经由精密的喷涂装置将荧光粉体均匀地涂布在发光二极管上，因此能够制作出发光效率良好的发光二极管装置。

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