一种镍-氧化镍超薄纳米片材料及其电沉积制备方法和应用

发明专利有效专利

申请号：
CN201910990239.0
IPC分类号：C25D5/54;C25D3/12;C25D9/04;C25B1/04;C25B11/052;C25B11/065;C25B11/091;H01G11/24;H01G11/32;H01G11/46;H01G11/86;H01M4/88;H01M4/90;B82Y30/00;B82Y40/00
申请日期：
2019-10-17
申请人：
天津大学

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专利名称	一种镍-氧化镍超薄纳米片材料及其电沉积制备方法和应用
申请号	CN201910990239.0	申请日期	2019-10-17
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-05-08	公开/公告号	CN111118564A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C25D5/54 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C25 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕 C25D 覆层的电解或电泳生产工艺方法；电铸（印刷电路的金属沉积法制造入H05K 3/18）；工件的电解法接合；所用的装置（阳极或阴极保护入 C23F13/00；单晶生长入C30B）〔2，6〕 C25D5/00 以工艺方法为特征的电镀；工件的预处理或后处理〔2〕 C25D5/54 非金属表面的电镀（C25D 7/12优先）〔2〕	IPC分类号	C;2;5;D;5;/;5;4;;;C;2;5;D;3;/;1;2;;;C;2;5;D;9;/;0;4;;;C;2;5;B;1;/;0;4;;;C;2;5;B;1;1;/;0;5;2;;;C;2;5;B;1;1;/;0;6;5;;;C;2;5;B;1;1;/;0;9;1;;;H;0;1;G;1;1;/;2;4;;;H;0;1;G;1;1;/;3;2;;;H;0;1;G;1;1;/;4;6;;;H;0;1;G;1;1;/;8;6;;;H;0;1;M;4;/;8;8;;;H;0;1;M;4;/;9;0;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	天津大学	申请人地址	天津市南开区卫津路92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天津大学	当前权利人	天津大学
发明人	韩晓鹏;李肖鹏;王杨;胡文彬;邓意达;钟澄
代理机构	天津创智天诚知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	王秀奎

摘要

本发明涉及一种镍‑氧化镍超薄纳米片材料及其电沉积制备方法和应用，将碳布表面活化得到预处理好的碳布；将表面活化的碳布作为工作电极，碳棒作为对电极，置于配好的镍盐电解质溶液中，用工作站恒压沉积；沉积后用无水乙醇冲洗，烘箱内干燥得到镍‑氧化镍超薄纳米片。镍‑氧化镍超薄纳米片材料是由氧化镍、单质镍物相组成，镍‑氧化镍纳米片在碳布上均匀分布。本发明提出的制备方法所需设备较简单、操作方便、条件可控、可重复性高，制备成本低，适合于工厂化大规模生产。

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