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一种高陶瓷产率的无碳氮化硼先驱体及其合成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202111065991.8
IPC分类号：C01B35/14;C04B35/583
申请日期：
2021-09-13
申请人：
中国人民解放军国防科技大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种高陶瓷产率的无碳氮化硼先驱体及其合成方法
申请号	CN202111065991.8	申请日期	2021-09-13
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-30	公开/公告号	CN113716581A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B35/14 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B35/00 硼；其化合物（甲硼烷，乙硼烷，金属硼氢化物或其加成配合物入C01B 6/00；过硼酸盐入 C01B 15/12；含氮的二元化合物入 C01B 21/06；磷化物入 C01B 25/08；碳化物入C01B 32/991）〔1，2，2006.01〕 C01B35/08 含硼和氮、磷、氧、硫、硒或碲的化合物〔2〕 C01B35/14 含硼和氮、磷、硫、硒或碲的化合物〔2〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;5;/;1;4;;;C;0;4;B;3;5;/;5;8;3查看分类表>
申请人	中国人民解放军国防科技大学	申请人地址	湖南省长沙市开福区德雅路109号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国人民解放军国防科技大学	当前权利人	中国人民解放军国防科技大学
发明人	杜贻昂;王兵;王应德
代理机构	长沙国科天河知识产权代理有限公司	代理人	赵杰

摘要

本发明公开了一种高陶瓷产率的无碳氮化硼先驱体及其合成方法，包括以下步骤：1.氨硼烷在强碱激发下阴离子聚合；2.氯化铵取代钠离子制备低聚氨硼烷；3.低聚氨硼烷与三氯环硼氮烷共聚制备无碳氮化硼先驱体。本发明可实现氮化硼先驱体高陶瓷产率，简化BN陶瓷制备过程，省去先驱体转化法传统工艺中的不熔化过程与脱碳过程，为制备高性能BN陶瓷奠定基础。

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