避免尖峰现象的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN02155241.X
IPC分类号：--
申请日期：
2002-12-10
申请人：
联华电子股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	避免尖峰现象的方法
申请号	CN02155241.X	申请日期	2002-12-10
法律状态	撤回	申报国家	暂无
公开/公告日	2003-07-16	公开/公告号	CN1430249
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	联华电子股份有限公司	申请人地址	台湾省新竹市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	联华电子股份有限公司	当前权利人	联华电子股份有限公司
发明人	林文正;蓝仁宏;林永昌;李宗翰
代理机构	北京三友知识产权代理有限公司	代理人	陈红

摘要

一种避免尖峰现象的方法，先于一半导体基底表面形成一多晶硅层，接着进行一准直管物理气相沉积制程，以于该多晶硅层表面形成一氮化钛层，随后再进行一快速高温氮化制程，以致密化该氮化钛层；最后于该氮化钛层表面形成一金属硅化物层；其中，该氮化钛层可有效抑制该金属硅化物层与该多晶硅层发生尖峰现象；相较于习知制作导线结构中阻障层的方法，本发明于阻障层的溅镀制程中使用准直管作为辅助，而且在溅镀制程之后更进行一快速高温氮化制程，因此可以有效改善阻障层的均匀性以及致密性，进而避免金属硅化物层发生尖峰现象，降低导线的接触电阻，并且提升产品的可靠度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供