多次可编程存储器及其操作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410281229.7
IPC分类号：G11C16/10
申请日期：
2014-06-20
申请人：
创飞有限公司

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著录项信息

专利名称	多次可编程存储器及其操作方法
申请号	CN201410281229.7	申请日期	2014-06-20
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-12-30	公开/公告号	CN105206300A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/10 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕 G11C16/10 编程或数据输入电路〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;1;0查看分类表>
申请人	创飞有限公司	申请人地址	广东省珠海市唐家湾镇大学路101号清华科技园（珠海）创业大楼A座A0204单元变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	珠海创飞芯科技有限公司	当前权利人	珠海创飞芯科技有限公司
发明人	王志刚;李弦
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	王宝筠

摘要

本发明提供了一种多次可编程存储器及其操作方法，其中，所述存储器中的每个存储单元至少包括第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管，所述第一MOS管、所述第二MOS管和所述第三MOS管均为单层浮栅晶体管。当所述第一MOS管和所述第二MOS管为相同类型的MOS管时，第一MOS管和所述第二MOS管均为源漏穿通管；当所述第一MOS管和所述第二MOS管中一个为PMOS管，另外一个NMOS管时，所述NMOS管为源漏穿通管。本发明利用源漏穿通管提高了存储器的电容耦合效率，并且，这种存储器结构减少了存储单元的面积，有利于大容量存储应用。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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