一种零维掺杂铯铜溴纳米晶的制备方法及其产品和应用

发明专利有效专利

申请号：
CN202110777018.2
IPC分类号：C09K11/61;H01L33/50
申请日期：
2021-07-09
申请人：
重庆大学

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著录项信息

专利名称	一种零维掺杂铯铜溴纳米晶的制备方法及其产品和应用
申请号	CN202110777018.2	申请日期	2021-07-09
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-10-08	公开/公告号	CN113481000A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C09K11/61 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C09 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用 C09K 不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用 C09K11/00 发光材料，例如电致发光材料、化学发光材料〔2〕 C09K11/08 含无机发光材料〔2〕 C09K11/61 含氟、氯、溴、碘或未指明的卤素元素〔4〕	IPC分类号	C;0;9;K;1;1;/;6;1;;;H;0;1;L;3;3;/;5;0查看分类表>
申请人	重庆大学	申请人地址	重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	重庆大学	当前权利人	重庆大学
发明人	臧志刚;蒋思奇;赵双易
代理机构	北京同恒源知识产权代理有限公司	代理人	赵荣之

摘要

本发明涉及一种零维掺杂铯铜溴纳米晶的制备方法及其产品和应用，属于纳米晶材料制备技术领域。本发明公开了一种零维掺杂铯铜溴纳米晶的制备方法，主要采用热注入的方法进行制备，实现对零维铯铜溴纳米晶进行铅掺杂，可以在零维铯铜溴纳米晶自身拥有的自陷态激子蓝光宽光谱发射的基础上，新出现由铅掺杂引起的自陷态激子红光宽光谱发射，使其可以在零维铅掺杂铯铜溴中同时出现两种自陷态激子发射，这两种发射的PLQY相当且都具有宽的发射光谱，因此出现了覆盖整个可见光光谱的白光发射；同时由于自陷态激子导致的宽的斯托克斯位移，几乎没有自吸收现象。本发明的制备方法具有低成本、低条件、高可重复性等优势。

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