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一种三氯氢硅的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110123801.7
IPC分类号：C01B33/107
申请日期：
2021-01-29
申请人：
中国科学院过程工程研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种三氯氢硅的制备方法
申请号	CN202110123801.7	申请日期	2021-01-29
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-03-09	公开/公告号	CN112456500A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B33/107 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B33/00 硅；其化合物（C01B 21/00，C01B 23/00优先；过硅酸盐入 C01B 15/14；碳化物入C01B32/956）〔1，3，2006.01〕 C01B33/08 含卤素的化合物 C01B33/107 卤化硅烷〔3〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;3;/;1;0;7查看分类表>
申请人	中国科学院过程工程研究所	申请人地址	北京市海淀区中关村北二条1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院过程工程研究所	当前权利人	中国科学院过程工程研究所
发明人	苏发兵;朱永霞;李晶
代理机构	北京品源专利代理有限公司	代理人	暂无

摘要

本发明提供一种三氯氢硅的制备方法，所述制备方法包括以铜的氯离子型化合物为催化剂，采用硅氢氯化法合成三氯氢硅。所述制备方法催化剂成本低，可直接购买并做简单干燥或破碎处理；另外本发明所述的三氯氢硅催化生产的方法，可直接使用原有的非催化生产装置，主要设备无需变动，具有操作弹性强、反应温度低、设备腐蚀小、产能高等优点。

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