高反向耐压的氮化镓整流器及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010372143.0
IPC分类号：H01L27/08;H01L29/06;H01L29/872
申请日期：
2020-05-06
申请人：
无锡众享科技有限公司

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著录项信息

专利名称	高反向耐压的氮化镓整流器及其制作方法
申请号	CN202010372143.0	申请日期	2020-05-06
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2020-08-07	公开/公告号	CN111508955A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/08 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/08 只包括有一种半导体组件的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;8;7;2查看分类表>
申请人	无锡众享科技有限公司	申请人地址	江苏省无锡市滨湖区蠡园开发区吟白路1号研创大厦13楼1306 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	无锡众享科技有限公司	当前权利人	无锡众享科技有限公司
发明人	陈杰;吉巍
代理机构	无锡市汇诚永信专利代理事务所（普通合伙）	代理人	朱晓林

摘要

本发明属于半导体工艺技术领域，尤其涉及高反向耐压的氮化镓整流器，在深沟槽结构槽底正下方间隔设有第二导电类型结构，第二导电类型结构包括第一子结构，第一子结构与深沟槽结构平行且中心对齐设置，第一子结构包括上部和下部，上部的宽度大于深沟槽结构的宽度，下部的宽度小于深沟槽结构的宽度。本发明还提供上述高反向耐压的氮化镓整流器的制作方法，工艺兼容性高，不需要额外的复杂工艺，在深沟槽结构槽底多次外延形成第二导电类型结构，加快了肖特基势垒区的夹断，降低整流器的反向漏电流，此外第二导电类型结构中的第一子结构的宽度大于深沟槽结构槽底的宽度，有效提高器件的反向临界击穿电场，这使得器件的反向耐压能力得到进一步的提升。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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