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使半导体晶片变薄的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200910151326.3
IPC分类号：H01L21/302;H01L21/50
申请日期：
2009-06-30
申请人：
半导体元件工业有限责任公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	使半导体晶片变薄的方法
申请号	CN200910151326.3	申请日期	2009-06-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2010-01-13	公开/公告号	CN101625972
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/302 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/30 用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕 H01L21/302 改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;5;0查看分类表>
申请人	半导体元件工业有限责任公司	申请人地址	美国亚利桑那变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	半导体元件工业有限责任公司	当前权利人	半导体元件工业有限责任公司
发明人	M·J·瑟登;F·J·卡尔尼
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	秦晨

摘要

一种用于制造薄的半导体晶片的方法。将半导体晶片从其后侧削薄，然后在半导体晶片后侧的中心区形成腔。形成腔时在半导体晶片外围区也形成环形支撑结构。至少在腔内形成导电层。将半导体的前侧设置在连接膜层框架的带上。将半导体晶片的环形支撑结构变薄以形成变薄的半导体晶片。将后侧带连接到半导体晶片和膜层框架上并且除去连接到半导体晶片前侧的带。将变薄的半导体晶片进行分割。

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