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硫化铅半导体纳米颗粒的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200510133955.5
IPC分类号：C30B29/46;C01G21/21
申请日期：
2005-12-20
申请人：
中国科学院兰州化学物理研究所

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	硫化铅半导体纳米颗粒的制备方法
申请号	CN200510133955.5	申请日期	2005-12-20
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-06-27	公开/公告号	CN1986910
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/46 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/46 含硫、硒或碲的化合物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;4;6;;;C;0;1;G;2;1;/;2;1查看分类表>
申请人	中国科学院兰州化学物理研究所	申请人地址	甘肃省兰州市城关区天水中路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院兰州化学物理研究所	当前权利人	中国科学院兰州化学物理研究所
发明人	王晓波;刘维民
代理机构	兰州中科华西专利代理有限公司	代理人	方晓佳

摘要

本发明涉及一种单分散硫化铅半导体纳米颗粒的前驱体热解制备方法。该方法使用的前驱体制备过程简单，原料廉价低毒，并且前驱体分子仅通过简便的化学反应即可制得单分散油溶性硫化铅半导体纳米颗粒。本发明具有原料廉价易得、操作简便、成本低，产率高等特点，适合规模化的生产；制备出的半导体纳米颗粒粒径均匀，稳定性好，有广泛的应用前景。

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