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一种晶体生长方法和装置

发明专利有效专利

申请号：
CN202080004445.0
IPC分类号：C30B23/00
申请日期：
2020-04-14
申请人：
眉山博雅新材料有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种晶体生长方法和装置
申请号	CN202080004445.0	申请日期	2020-04-14
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-03-30	公开/公告号	CN112585304A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B23/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B23/00 冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;3;/;0;0查看分类表>
申请人	眉山博雅新材料有限公司	申请人地址	四川省眉山市东坡区金象化工产业园区君乐路3号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	眉山博雅新材料有限公司	当前权利人	眉山博雅新材料有限公司
发明人	王宇;杨田;梁振兴;李敏
代理机构	成都七星天知识产权代理有限公司	代理人	袁春晓

摘要

本申请实施例公开了晶体生长方法及装置。所述晶体生长方法包括：将籽晶和目标源材料置于晶体生长装置的生长腔体中；基于所述籽晶和所述目标源材料，通过物理气相传输法生长晶体；在晶体生长过程中，判断是否满足预设条件；以及当满足预设条件时，将升华后的目标源材料替换为备选源材料。本申请通过以备选源材料替换升华后的目标源材料，可以生长得到大尺寸、高质量的晶体。

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