具有涵盖电极微隙的气室的晶片型保护元件

实用新型专利无效专利

申请号：
CN200820178421.3
IPC分类号：H01T1/15;H01T4/12
申请日期：
2008-11-12
申请人：
大毅科技股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	具有涵盖电极微隙的气室的晶片型保护元件
申请号	CN200820178421.3	申请日期	2008-11-12
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01T1/15 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01T 火花隙；应用火花隙的过压避雷器；火花塞；电晕装置；产生被引入非密闭气体的离子（过压保护电路入H02H） H01T1/00 火花隙零部件 H01T1/15 用于过压保护的〔4〕	IPC分类号	H;0;1;T;1;/;1;5;;;H;0;1;T;4;/;1;2查看分类表>
申请人	大毅科技股份有限公司	申请人地址	台湾省桃园县芦竹乡南山路二段470巷26号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	大毅科技股份有限公司	当前权利人	大毅科技股份有限公司
发明人	余河潔;林俊佑;庄弘毅
代理机构	北京明和龙知识产权代理有限公司	代理人	郁玉成

摘要

本实用新型是一种具有涵盖电极微隙的气室的晶片型保护元件：在一片基片上，形成一对相向延伸且间隔一个微隙的放电电极，且在与微隙间隔一个预定距离有一壁部，其顶接一个跨越微隙的覆盖部，其中壁部及覆盖部藉由在一个预定环境气体中融合处理，以形成一气密气室，并于气室上形成一层外保护层，随后在基片上形成连接上述导接部的端电极。本实用新型作为过电压保护的元件，当两导接部间形成适当电位差时，透过存在于上述气室的气体游离而抑制通过保护元件的ESD的电压。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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