高介电常数金属栅MOS晶体管及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110862556.1
IPC分类号：H01L23/528;H01L21/768;H01L29/417
申请日期：
2021-07-29
申请人：
上海华力集成电路制造有限公司

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专利名称	高介电常数金属栅MOS晶体管及其制造方法
申请号	CN202110862556.1	申请日期	2021-07-29
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-12	公开/公告号	CN113644051A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/528 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/522 包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的〔5〕 H01L23/528 互连结构的布置〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;1;7查看分类表>
申请人	上海华力集成电路制造有限公司	申请人地址	上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华力集成电路制造有限公司	当前权利人	上海华力集成电路制造有限公司
发明人	李勇
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	郭四华

摘要

本发明公开了一种高介电常数金属栅MOS晶体管，包括：高介电常数金属栅以及自对准形成于所述高介电常数金属栅两侧的半导体衬底中的源漏区；源漏区的顶部的有源区金属零层形成于有源区金属零层开口中；在有源区金属零层开口底部暴露的源漏区的表面自对准形成有第一金属硅化物，在有源区金属零层开口的侧面形成有第一内侧墙，有源区金属零层形成于第一内侧墙所围的区域中。通过设置有源区金属零层开口的侧面和高介电常数金属栅之间的第一间距降低接触电阻；通过设置第一内侧墙的厚度增加有源区金属零层和高介电常数金属栅之间的第二间距并避免产生桥接。栅区金属零层开口中形成有第二内侧墙。本发明还公开了一种高介电常数金属栅MOS晶体管的制造方法。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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