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沟槽栅MOS器件缺陷验证方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410835941.7
IPC分类号：G01R31/26;G01N21/88;G01N1/32;G01N1/44;G01N23/22
申请日期：
2014-12-24
申请人：
上海华虹宏力半导体制造有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	沟槽栅MOS器件缺陷验证方法
申请号	CN201410835941.7	申请日期	2014-12-24
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-04-01	公开/公告号	CN104483615A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R31/26 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R31/00 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置（在制造过程中测试或测量半导体或固体器件入H01L 21/66；线路传输系统的测试入H04B 3/46） G01R31/26 单个半导体器件的测试（在制造或处理过程中的测试或测量入H01L 21/66；光伏器件的测试入H02S 50/10）〔2，2014.01〕	IPC分类号	G;0;1;R;3;1;/;2;6;;;G;0;1;N;2;1;/;8;8;;;G;0;1;N;1;/;3;2;;;G;0;1;N;1;/;4;4;;;G;0;1;N;2;3;/;2;2查看分类表>
申请人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	马香柏
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	丁纪铁

摘要

本发明公开了一种沟槽栅MOS器件缺陷验证方法，包含：第一步，对沟槽栅MOS器件样品进行电学测试，扫描栅极对源极的漏电曲线；第二步，根据漏电曲线的特性，初步判定缺陷的大致位置；第三步，采用亮点定位工具，定位失效沟槽在芯片上的位置；第四步，结合第二步的判定结果，选择对应的研磨或聚焦离子束方法进行制样；采用KOH或NaOH溶液溶解残留的栅极多晶硅，找到缺陷位置。

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