多倍频程砷化镓微波单片集成反射型开关

实用新型专利无效专利

申请号：
CN00220020.1
IPC分类号：--
申请日期：
2000-04-19
申请人：
信息产业部电子第五十五研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	多倍频程砷化镓微波单片集成反射型开关
申请号	CN00220020.1	申请日期	2000-04-19
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	信息产业部电子第五十五研究所	申请人地址	江苏省南京市中山东路524号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	信息产业部电子第五十五研究所	当前权利人	信息产业部电子第五十五研究所
发明人	戴永胜;陈堂胜
代理机构	东南大学专利事务所	代理人	沈廉;姚建楠

摘要

多倍频程砷化镓微波单片集成反射型开关是一种用于通讯等领域的部件,在单刀单掷多倍频程砷化镓微波单片集成反射型开关电路中,微带线X1的一端为信号输入端P1,微带线X2－X6串联相接,微带线X6的外端为信号输出端P2,晶体管T1的栅极通过电阻R1与控制端K1连接,晶体管T2－T9的源极接地,栅极分别通过电阻R2－R9的接控制端K2,由两个单刀单掷多倍频砷化镓微波单片集成反射型开关相并联构成一个单刀双掷开关。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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