高压倒装发光二极管芯片及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202080007490.1
IPC分类号：H01L33/62;H01L33/46;H01L33/10
申请日期：
2020-12-28
申请人：
厦门三安光电有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	高压倒装发光二极管芯片及其制备方法
申请号	CN202080007490.1	申请日期	2020-12-28
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-24	公开/公告号	CN113302758A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/62 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕 H01L33/62 向该半导体导入或自该半导体导出电流的装置，例如引线框架、焊线或焊球〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;6;2;;;H;0;1;L;3;3;/;4;6;;;H;0;1;L;3;3;/;1;0查看分类表>
申请人	厦门三安光电有限公司	申请人地址	福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道841-899号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	厦门三安光电有限公司	当前权利人	厦门三安光电有限公司
发明人	刘士伟;徐瑾;王水杰;刘可;阙珍妮;张中英
代理机构	北京汉之知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	王立红

摘要

本申请公开了一种高压倒装发光二极管芯片及其制备方法。该高压倒装发光二极管芯片包括多个子芯片和保护层；相邻子芯片之间通过隔离槽间隔，且相邻子芯片之间电性连接；每个子芯片均包括半导体堆叠层，半导体堆叠层包括第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；保护层覆盖子芯片以及相邻子芯片之间的隔离槽；位于隔离槽处的保护层形成有凹陷区，至少在该高压倒装发光二极管芯片中心区域的凹陷区形成有第三焊盘。本申请在该高压倒装发光二极管芯片的中心区域形成第三焊盘，在顶针作用在该芯片的中心区域时，该第三焊盘能够避免顶针刺破保护层，提高芯片的可靠性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供