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一种侧向互连的堆叠封装结构的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201410838535.6
  • IPC分类号:H01L21/60
  • 申请日期:
    2014-12-30
  • 申请人:
    中国科学院微电子研究所;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
著录项信息
专利名称一种侧向互连的堆叠封装结构的制备方法
申请号CN201410838535.6申请日期2014-12-30
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2015-04-08公开/公告号CN104505351A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/60IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人中国科学院微电子研究所;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司申请人地址
北京市朝阳区北土城西路3号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院微电子研究所,华进半导体封装先导技术研发中心有限公司当前权利人中国科学院微电子研究所,华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
发明人李君;曹立强
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人任岩
摘要
本发明涉及半导体封装技术领域,公开了一种侧向互连的堆叠封装结构的制备方法,该结构包括上层封装体与下层封装体,该方法包括:制作底部具有多个层问焊球的上层封装体;制作具有再分布层和侧向互连结构的下层封装体,其中,再分布层形成于该下层封装体的下层塑封的顶部,侧向互连结构形成于该下层封装体的下层塑封的四周;将上层封装体与下层封装体对准焊接,使多个层问焊球、再分布层与侧向互连结构构成互连通道,进而形成侧向互连的堆叠封装结构。本发明利用侧向互连和塑封顶部的再分布层,提高了上封装体与下封装体之间互连通道的数量。本发明还将侧向互连结构与穿透模塑过孔技术结合,进一步提高了上封装体与下封装体之间互连通道的数量。

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