MEMS封装结构和MEMS封装结构的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110669873.1
IPC分类号：H04R31/00;H04R19/00
申请日期：
2021-06-17
申请人：
甬矽电子（宁波）股份有限公司

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著录项信息

专利名称	MEMS封装结构和MEMS封装结构的制备方法
申请号	CN202110669873.1	申请日期	2021-06-17
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-16	公开/公告号	CN113132889A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H04R31/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H04 电通信技术 H04R 扬声器、传声器、唱机拾音器或其他声—机电传感器；助听器；扩音系统（产生的声音和频率与电流频率无关的入G10K）〔6〕 H04R31/00 专用于制造传感器或其所用振膜的设备或方法	IPC分类号	H;0;4;R;3;1;/;0;0;;;H;0;4;R;1;9;/;0;0查看分类表>
申请人	甬矽电子（宁波）股份有限公司	申请人地址	浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园兴舜路22号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	甬矽电子（宁波）股份有限公司	当前权利人	甬矽电子（宁波）股份有限公司
发明人	何正鸿;钟磊;李利
代理机构	北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	梁晓婷

摘要

本发明的实施例提供了一种MEMS封装结构和MEMS封装结构的制备方法，涉及芯片封装技术领域，该MEMS封装结构包括集成电路板、MEMS芯片、第一腔盖、封装电路板和第二腔盖。通过开设进音容置槽，使得第一腔盖能够容置在进音容置槽内，降低了整体的封装高度，进而缩小了封装体积，有利于产品的小型化。同时利用第一腔盖作为MEMS芯片的前音腔，引导音压传输，避免外部音压直接与MEMS芯片上的硅振膜接触，从而降低硅振膜破裂风险，同时利用第二腔盖作为MEMS芯片的后音腔，提升了MEMS芯片背面的空气空间，从而提高MEMS芯片的灵敏度和信噪比，同时还能够提高MEMS芯片的频响性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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