惯性传感器

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201520753833.5
IPC分类号：B81B7/02;B81C1/00
申请日期：
2015-09-25
申请人：
杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集成电路有限公司

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著录项信息

专利名称	惯性传感器
申请号	CN201520753833.5	申请日期	2015-09-25
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81B7/02 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81B 微观结构的装置或系统，例如微观机械装置（压电元件、电致伸缩元件或磁致伸缩元件本身入H01L41/00）〔7〕 B81B7/00 微观结构系统〔7，2006.01〕 B81B7/02 包括功能上有特定关系的不同的电或光学装置，例如微电子—机械系统（MEMS）（B81B7/04优先）〔7，2006.01〕	IPC分类号	B;8;1;B;7;/;0;2;;;B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人	杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集成电路有限公司	申请人地址	浙江省杭州市黄姑山路4号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	杭州士兰微电子股份有限公司,杭州士兰集成电路有限公司	当前权利人	杭州士兰微电子股份有限公司,杭州士兰集成电路有限公司
发明人	季锋;闻永祥;刘琛;孙伟
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	余毅勤

摘要

本实用新型提供了一种惯性传感器，包括：硅衬底、埋层、布线层、牺牲层、单晶硅层、金属层，所述埋层位于所述硅衬底上，所述布线层位于所述埋层上，所述牺牲层位于所述布线层上，所述单晶硅层的一部分位于所述牺牲层和布线层上，所述单晶硅层的另一部分构成可动结构层，所述可动结构层下方的牺牲层被全部去除，所述金属层位于所述单晶硅层上且暴露所述可动结构层。通过外延方式生长的单晶硅层具有应力小的优点，由此形成的可动结构层厚度不受限制，有利于减小惯性传感器的管芯面积，降低成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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