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电介质蚀刻中的形貌控制

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200880109447.5
  • IPC分类号:H01L21/3065;H01L21/311
  • 申请日期:
    2008-09-16
  • 申请人:
    朗姆研究公司
著录项信息
专利名称电介质蚀刻中的形貌控制
申请号CN200880109447.5申请日期2008-09-16
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2010-08-18公开/公告号CN101809721A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/3065
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;0;6;5;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;1查看分类表>
申请人朗姆研究公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人朗姆研究公司当前权利人朗姆研究公司
发明人池景具;乔纳森·金
代理机构上海胜康律师事务所代理人周文强;李献忠
摘要
提供一种蚀刻电介质层的方法。该电介质层设在基片上方和具有线距图案的图案化掩模下方。该方法包括(a)提供包括CF4、COS和含氧气体的蚀刻剂气体,(b)由该蚀刻剂气体形成等离子,和(c)利用来自该蚀刻剂气体的等离子通过该掩模将该电介质层蚀刻为该线距图案。该CF4的气体流率的比率可大于所有反应性气体组分的总的气体流率的50%。该COS的气体流率可在1%和50%之间。该方法通过添加COS至该蚀刻剂气体减少该电介质层蚀刻中的弯曲。

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