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一种ZIF-L衍生的负载单分散FeNx活性位点的多级孔碳及其制备方法与应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202111371630.6
  • IPC分类号:H01M4/90;H01M4/88;H01M12/06
  • 申请日期:
    2021-11-18
  • 申请人:
    天津大学
著录项信息
专利名称一种ZIF-L衍生的负载单分散FeNx活性位点的多级孔碳及其制备方法与应用
申请号CN202111371630.6申请日期2021-11-18
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2022-02-18公开/公告号CN114068964A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01M4/90IPC分类号H;0;1;M;4;/;9;0;;;H;0;1;M;4;/;8;8;;;H;0;1;M;1;2;/;0;6查看分类表>
申请人天津大学申请人地址
天津市南开区卫津路92号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人天津大学当前权利人天津大学
发明人李阳;吴顺;张凤宝;范晓彬
代理机构北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙)代理人刘晓佳
摘要
本申请公开了一种ZIF‑L衍生的负载单分散FeNx活性位点的多级孔碳及其制备方法与应用,属于电化学催化技术领域。所述多级孔碳为中部开设有通孔的类六边形片状结构,所述片状结构中分布有大孔、介孔和微孔,所述多级孔碳上负载有单原子Fe。该多级孔碳的二维形貌利于传质,同时其具有微孔、介孔及大孔,孔道丰富,从而使活性位点充分暴露,使得反应物更易接触活性位点,提升了比表面积,优化了传质效应,其作为氧还原反应的催化剂,可以大大降低反应势垒,电化学性能优异。

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