一种双向超低电容瞬态电压抑制器及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610797085.X
IPC分类号：H01L27/02;H01L27/08;H01L21/822
申请日期：
2016-08-31
申请人：
北京燕东微电子有限公司

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专利名称	一种双向超低电容瞬态电压抑制器及其制作方法
申请号	CN201610797085.X	申请日期	2016-08-31
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2016-11-23	公开/公告号	CN106158851A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;2;;;H;0;1;L;2;7;/;0;8;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;2查看分类表>
申请人	北京燕东微电子有限公司	申请人地址	北京市朝阳区东直门外西八间房万红西街2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京燕东微电子有限公司	当前权利人	北京燕东微电子有限公司
发明人	周源;淮永进;徐远
代理机构	北京正理专利代理有限公司	代理人	付生辉;张雪梅

摘要

本发明涉及一种双向超低电容TVS及其制作方法。该TVS包括：第一导电类型的半导体衬底；第二导电类型的第一外延层；第一导电类型的第三外延层；在第一外延层和第三外延层之间形成的第二导电类型的第一埋层；在第三外延层中与第一埋层相对形成的第二导电类型的第一掺杂区；在第三外延层中形成的第一导电类型的第二掺杂区，其中第二掺杂区与第一埋层不相对；第一沟槽，其中第一沟槽自第三外延层表面延伸至半导体衬底内；第二沟槽，其中第二沟槽自第三外延层表面延伸穿过第三外延层；第一绝缘介质，填充在第一沟槽和第二沟槽中；第三沟槽，第三沟槽自第三外延层表面延伸穿过第一埋层至第一外延层内；有源区，其由在第三沟槽中填充的原位多晶硅并退火形成。

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