一种降低石墨烯形核密度的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110396336.4
IPC分类号：C01B32/184;C01B32/186;C30B29/02;C30B25/18
申请日期：
2021-04-13
申请人：
华南理工大学

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著录项信息

专利名称	一种降低石墨烯形核密度的方法
申请号	CN202110396336.4	申请日期	2021-04-13
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-14	公开/公告号	CN113387345A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B32/184 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B31/36 （转入C01B 32/956-C01B 32/991） C01B32/15 纳米级碳材料〔2017.01〕 C01B32/182 石墨烯〔2017.01〕 C01B32/184 制备〔2017.01〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;2;/;1;8;4;;;C;0;1;B;3;2;/;1;8;6;;;C;3;0;B;2;9;/;0;2;;;C;3;0;B;2;5;/;1;8查看分类表>
申请人	华南理工大学	申请人地址	广东省广州市天河区五山路381号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华南理工大学	当前权利人	华南理工大学
发明人	袁良川
代理机构	广州市华学知识产权代理有限公司	代理人	蔡克永

摘要

本发明公开了一种有效降低石墨烯形核密度的方法；在使用丙酮、无水乙醇和去离子水对铜箔进行清洗后，将铜箔在200℃空气中氧化60min，再在非还原性的氩气升温至1000℃，再通入氢气和甲烷进行生长。本发明提出的降低石墨烯形核密度的方法，操作简单、效果显著。同时在本方法的基础上可探究不同的升温和退火环境对石墨烯形核密度的影响，进一步降低石墨烯的形核密度，提高石墨烯单晶的尺寸。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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