具有磁场可控的超弹性的磁性单晶及制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200410003419.9
IPC分类号：--
申请日期：
2004-02-25
申请人：
中国科学院物理研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	具有磁场可控的超弹性的磁性单晶及制备方法
申请号	CN200410003419.9	申请日期	2004-02-25
法律状态	放弃专利权	申报国家	中国
公开/公告日	2005-08-31	公开/公告号	CN1661735
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	中国科学院物理研究所	申请人地址	北京海淀区中关村南三街8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院物理研究所	当前权利人	中国科学院物理研究所
发明人	陈京兰;代学芳;柳祝红;刘国栋;吴光恒
代理机构	北京泛华伟业知识产权代理有限公司	代理人	王凤华

摘要

本发明涉及具有磁场可控超弹性效应的磁性单晶及其制备方法。该磁性单晶具有CoxNiyFewGaz化学式，其中：40＜x＜60；10＜y＜30；10＜z＜30；0.01＜w＜15，x+y+z+w＝100。该方法包括采用常规的提拉法生长，其生长条件为：加热原料到使之熔融；其在熔融环境下以0.5－50转/分钟的速率旋转的带有籽晶的籽晶杆；在1050－1320℃的熔融温度下保持10－30分钟，用籽晶下端接触熔体的液面，然后以3－80mm/小时的均匀速率提升籽晶杆，将凝固结晶的单晶向上提拉，并使生长的单晶直径变大或保持一定；当生长的单晶达到所需尺寸时，将单晶提拉脱离熔融的原料表面，以0.5－20℃/分钟的缓慢降低温度冷却至室温，最后取出。该材料能够产生的超弹性，在自由样品上达到20％，当外加一个0.1－2.0T的磁场时，超弹性形变的大小和方向可随磁场的变化而变化。

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