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平板氮化硅薄膜PECVD沉积系统

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN200820034506.4
  • IPC分类号:C23C16/513
  • 申请日期:
    2008-04-29
  • 申请人:
    奚建平
著录项信息
专利名称平板氮化硅薄膜PECVD沉积系统
申请号CN200820034506.4申请日期2008-04-29
法律状态放弃专利权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C16/513IPC分类号C;2;3;C;1;6;/;5;1;3查看分类表>
申请人奚建平申请人地址
江苏省苏州市高新区通安昆仑山路189号2号厂房 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人苏州思博露光伏能源科技有限公司当前权利人苏州思博露光伏能源科技有限公司
发明人奚建平;周子彬
代理机构苏州市新苏专利事务所有限公司代理人许鸣石
摘要
本实用新型公开了一种平板氮化硅薄膜PECVD沉积系统,包括沉积腔室、射频引入电极、加热器及抽气系统,该沉积系统为平板式,沉积腔室为平板式真空腔体,射频引入平板电极设于真空腔体上盖的下方,加热器设于真空腔体外部紧贴下电极的背面。真空腔体两侧分别设有锥状缓冲进气室和锥状缓冲抽气室,进气室和抽气室分别设置有进气孔和抽气孔,抽气孔与抽气系统连接。射频引入电极包括电极板和电极框架,电极板上设有排列整齐的通气孔,电极板与电极上盖设有间隔地安装于真空腔体上盖的下面,电极上盖上面依次复合氟塑料、屏蔽罩和电极框架。本实用新型可用以沉积数量在百片以上125mm×125mm硅片的SiNx薄膜,薄膜的沉积质量高,可达到更高均匀性、致密性要求。

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