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具有深漏区的横向双扩散金属氧化物复合半导体场效应管及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810320962.3
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/06;H01L29/267;H01L21/336
  • 申请日期:
    2018-04-11
  • 申请人:
    西安电子科技大学
著录项信息
专利名称具有深漏区的横向双扩散金属氧化物复合半导体场效应管及其制作方法
申请号CN201810320962.3申请日期2018-04-11
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-09-07公开/公告号CN108511528A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;2;6;7;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人西安电子科技大学申请人地址
陕西省西安市太白南路2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安电子科技大学当前权利人西安电子科技大学
发明人段宝兴;黄芸佳;王彦东;杨鑫;孙李诚;杨银堂
代理机构西安智邦专利商标代理有限公司代理人暂无
摘要
本发明提出了一种具有深漏区的横向双扩散金属氧化物复合半导体场效应管(LDMOS)及其制作方法。该LDMOS器件的主要是将碳化硅材料与硅材料结合,在碳化硅衬底上通过异质外延技术或键合技术形成硅外延层,并采用深漏区结构,漏区的下端深入碳化硅衬底。由于碳化硅是宽禁带半导体具有较高的临界击穿电场,深漏区结构可将漏区的高电场峰值引入碳化硅中,优化器件的纵向电场分布,最终使击穿发生在漏区硅/碳化硅界面附近,从而提高器件的击穿电压,改善了体硅LDMOS器件中击穿电压与比导通电阻的极限关系。此外,与硅材料相比碳化硅材料具有较高的热导率,以其为衬底有助于器件散热,可用于制作在高温条件下工作的功率器件。

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